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1 gigascale integration
1) ступінь інтеграції 109 елементів і вище2) ІС із ступенем інтеграції 109 елементів і вищеEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > gigascale integration
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2 integration
1) інтеграція; ступінь інтеграції 2) інтегральна схема, ІС (див. т-ж chip, circuit) - component integration
- compound monolithic integration
- compound integration
- custom-designed integration
- custom integration
- dedicated-designedintegration
- dedicatedintegration
- discretionary integration
- down-scaled integration
- extra large-scale integration
- full-slice integration
- GaAs monolithic integration
- gate-array integration
- gigascale integration
- grand-scale integration
- high-scale integration
- high-volume integration
- horizontal integration
- hybrid integration
- large-scale integration
- large-scale hybrid integration
- low-volume integration
- mask-programmable integration
- master-slice integration
- matrix large-scale integration
- medium-scale integration
- megascale integration
- microbipolar large-scale integration
- microcomputer integration
- micropower integration
- microprocessor integration
- monolithic integration
- multilevel integration
- optical integration
- optimum-scale integration
- performance option integration
- programmed-interconnection wafer-scale integration
- proprietary integration
- right-scale integration
- semicustom integration
- silicon-on-sapphire integration
- small-scale integration
- standard-product integration
- standard integration
- standard-scale integration
- super large-scale integration
- system integration
- ultra high-speed integration
- ultralarge-scale integration
- vertical integration
- very high-speed integration
- very large-scale integration
- wafer-scale integration
- 3-D integrationEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > integration
См. также в других словарях:
gigascale integration — milijardinė integracija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gigascale integration vok. Integration mit 10⁹ Funktionselementen, f rus. интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС, f pranc. intégration à gigaéchelle, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Integration mit 10⁹ Funktionselementen — milijardinė integracija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gigascale integration vok. Integration mit 10⁹ Funktionselementen, f rus. интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС, f pranc. intégration à gigaéchelle, f … Radioelektronikos terminų žodynas
intégration à gigaéchelle — milijardinė integracija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gigascale integration vok. Integration mit 10⁹ Funktionselementen, f rus. интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС, f pranc. intégration à gigaéchelle, f … Radioelektronikos terminų žodynas
milijardinė integracija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gigascale integration vok. Integration mit 10⁹ Funktionselementen, f rus. интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС, f pranc. intégration à gigaéchelle, f … Radioelektronikos terminų žodynas
интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС — milijardinė integracija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gigascale integration vok. Integration mit 10⁹ Funktionselementen, f rus. интеграция со степенью 10⁹ элементов на кристалле ИС, f pranc. intégration à gigaéchelle, f … Radioelektronikos terminų žodynas
George M. Low Center for Industrial Innovation — The George M. Low Center for Industrial Innovation, otherwise known as the Low Center or CII, is a major industry funded research center at Rensselaer Polytechnic Institute. HistoryThe center is named after George M. Low, who was an important… … Wikipedia
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
FinFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia